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行業資訊
Onsemi安森美EliteSiC系列二極管、MOSFET及模塊的工業應用
發布時間:2025-10-29 14:02:49 瀏覽:28
安森美(onsemi)的EliteSiC系列是專為工業和能源應用設計的碳化硅(SiC)功率半導體產品組合,涵蓋二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊。該系列憑借高效率、高功率密度、低損耗及高溫穩定性,廣泛應用于光伏逆變器、電動汽車充電、工業電機驅動、儲能系統等領域,助力客戶優化系統性能并降低總體成本。
1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

關鍵參數
電壓等級:650V / 1200V / 1700V
封裝類型:DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等
工作溫度:最高175°C(TJMAX)
主要特點
無反向恢復(QRR)——降低開關損耗,提高效率
低正向壓降(VF)——減少傳導損耗
溫度無關的開關特性——確保高溫下穩定運行
高浪涌和雪崩能力——增強系統可靠性
典型應用
太陽能逆變器(PV)
不間斷電源(UPS)
工業電源
2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應晶體管)

關鍵參數
電壓等級:650V / 900V / 1200V / 1700V
封裝類型:D2PAK-7(TO-263-7L HV)等
主要特點
超低柵極電荷(Qg)——減少驅動損耗
低有效輸出電容(Coss)——提升開關速度
100% UIL測試——確保器件一致性
175°C高溫運行能力——適應嚴苛環境
典型應用
電動汽車(EV)充電樁
服務器電源(PSU)
電機驅動
3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

關鍵參數
電壓等級:650V / 1000V / 1200V / 1700V
模塊類型:
T型NPC逆變器(Split NPC)
I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)
3通道Boost(1000V, 150A IGBT)
主要特點
SiC二極管 + 快速開關IGBT——優化系統效率
低熱阻基板——增強散熱能力
引腳兼容設計——便于升級替換
典型應用
工業變頻器
風電變流器
4、EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

關鍵參數
電壓等級:900V / 1200V
模塊類型:
Q0 / Q1 Boost模塊
F1 / F2模塊(集成電容,降低電壓震蕩)
主要特點
比溝槽MOSFET更低熱阻——提高散熱效率
負柵極電壓驅動——簡化控制設計
標準化引腳布局——兼容不同RDS(on)需求
典型應用
儲能系統(ESS)
軌道交通牽引系統
深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。
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