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  Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉換器、同步整流、配電電路等。產(chǎn)品型號：JANSR2N7626UBN。

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  WYO222MCMBF0KR陶瓷圓盤高頻電容器VISHAY 2024-09-29 10:06:08

  WYO222MCMBF0KR是VISHAY生產(chǎn)的單層陶瓷電容器，由兩面鍍銀陶瓷盤構成，連接引線為直徑0.6毫米鍍錫銅線，有直線或扭結引線兩種形式、5.0毫米或7.5毫米的引線間距，外部涂層為藍色阻燃環(huán)氧樹脂。它符合相關標準，具有高可靠性、多種特性，電容范圍1.0 nF - 12 nF、公差±20%，絕緣電阻等參數(shù)明確，額定電壓因應用類別而異，還有不同的測試電壓，適用于多種場景。