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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:1563
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應用。

主要參數
漏源電壓(VDS):1200V
連續漏極電流(ID):25°C時為17A
導通電阻(RDS(on)):25°C時為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復時間(trr):34ns
反向恢復電荷(Qrr):197nC
應用領域
開關電源
DC-DC轉換器
PFC電路
電機驅動
機器人控制
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