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Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管
發布時間:2025-05-08 09:04:36 瀏覽:1992

Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),具有以下特點:
絕對最大額定值(在Tc = +25°C時,除非另有說明)
漏源電壓(Vds):100 Vdc
柵源電壓(Vgs):± 20 Vdc
連續漏極電流(Ic):3.5 Adc(在Tc = +25°C時),2.25 Adc(在Tc = +100°C時)
最大功率耗散(Pd):15 W
漏源導通電阻(Rds(on)):0.61 Ω(在Vgs = 10Vdc時)
工作和存儲溫度:-55°C至+150°C
電氣特性(在TA = +25°C時,除非另有說明)
漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):100 Vdc
柵源閾值電壓(V(th)(SS)):2.0 Vdc(最小),4.0 Vdc(最大)
柵極電流(Igss):± 100 nAdc(在Vds = ± 20V時),± 200 nAdc(在Vds = ± 80V時)
漏極電流(Idss):25 μAdc(在Vgs = 0V時,Vds = 80V時)
靜態漏源導通電阻(Rds(on)):0.60 Ω(在Vgs = 10V時,I_D = 2.25A時),0.61 Ω(在Vgs = 10V時,I_D = 3.5A時)
二極管正向電壓(Vf(DSS)):1.08 V(在Vgs = 0V時,I_D = 2.25A時),1.5 V(在Vgs = 0V時,I_D = 3.5A時)
動態特性
柵極電荷(Qg):8.1 nC(最小),40 nC(最大)
輸入電容(Ciss):8.1 nF(最小),45 nF(最大)
輸出電容(Coss):8.1 nF(最小),45 nF(最大)
反向傳輸電容(Crss):4.5 nF
開關特性
開關時間測試:I_D = 3.5A,Vgs = 10Vdc
傳輸延遲時間(t_d):15 ns(最小),45 ns(最大)
上升時間(t_r):25 ns(最小),200 ns(最大)
關閉延遲時間(t_f):25 ns(最小),200 ns(最大)
下降時間(t_f):180 ns(最大)
這款MOSFET適用于需要高電壓和電流處理能力的電子設備,如電源管理、電機驅動和逆變器等應用。Microsemi 是美國高可靠性電子元器件廠商,其軍級二三級管產品,被廣泛應用于全球高端市場,深圳市立維創展科技有限公司,授權代理銷售Microsemi軍級二三級產品,大量原裝現貨,歡迎咨詢。
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