女人日B视频,亚洲精品久久久久久下一站,久久国产综合,逼里夹假鸡吧草逼真好玩

Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET

發(fā)布時間:2024-08-21 09:18:47     瀏覽:2198

Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET

  Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是單 N 溝道增強型 MOSFET,這些器件設(shè)計用于快速切換電路和需要低漏源電阻的應(yīng)用。以下是這些 MOSFET 的詳細(xì)介紹:

  特點:

  直接替代性:3N170 和 3N171 可以直接替換 INTERSIL 的同型號產(chǎn)品,方便用戶在現(xiàn)有設(shè)計中進(jìn)行升級或替換。

  低漏源電阻:r_ds(on) ≤ 200Ω,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較低,有助于減少功率損耗。

  快速切換:t_d(on) ≤ 3.0ns,表明這些 MOSFET 能夠快速響應(yīng)開關(guān)信號,適用于高速開關(guān)應(yīng)用。

  絕對最大額定值(在 25°C,除非另有說明):

  存儲溫度:-65 至 +150 °C,表明這些器件可以在廣泛的溫度范圍內(nèi)存儲。

  工作結(jié)溫:-55 至 +135 °C,說明這些 MOSFET 可以在極端溫度下工作。

  連續(xù)功率耗散:300mW,限制了器件在連續(xù)工作時的最大功率消耗。

  最大電流(漏到源):30mA,限制了通過器件的最大電流。

  最大電壓:

  - 漏到柵:±35V

  - 漏到源:25V

  - 柵到源:±35V

  電氣特性(在 25°C,V_sb = 0V):

SYMBOLCHARACTERISTICMINTYPMAXUNITScONDITIONS
BVossDrain to Source Breakdown Voltage25 

Vo=10μA,Ves =0V
VosionDrain to Source "On"Voltage

2.0 p=10mA,VGs =10V
VosahGate to Source
Threshold Voltage
3N1701.0 
2.0 Vos =10V,lo=10μA
3N1711.5 
3.0 
cssGate Leakage Current

10 pAVGs =-35V,Vos =0V
lpssDrain Leakage Current "Off

10 nAVos =10V,VGs =0V
oionDrain Current "On"10 

mAVcs=10V,Vos=10V
gsForward Transconductance1000 

μSVos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz
ds(onDrain to Source "On"Resistance

200 QVGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz
CrssReverse Transfer Capacitance

1.3 pFVos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz
CesInput Capacitance

5.0 Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz
CdDrain to Body Capacitance

5.0 Voe =10V,f=1.0MHz

相關(guān)推薦:

JFET雙通道放大器Linear Systems 

JFET單通道放大器Linear Systems 

立維創(chuàng)展優(yōu)勢代理Linear Systems產(chǎn)品,價格優(yōu)惠,歡迎咨詢。

推薦資訊

  • COOLSPAN?TECA導(dǎo)熱導(dǎo)電膠Rogers
    COOLSPAN?TECA導(dǎo)熱導(dǎo)電膠Rogers 2024-02-22 08:57:38

    Rogers COOLSPAN TECA 是一種熱固性環(huán)氧樹脂體系的填銀膠膜,用于高功率電路板的散熱粘接。COOLSPAN 膠膜提供一種方便可靠的方法,用來粘合高功率電路板、厚金屬底板、散熱底板或射頻模塊外殼。這種方法能夠解決空隙和流動問題,而采用的常規(guī)熱熔焊接法和擠膠法,都會造成這些問題。COOLSPAN TECA 膜可在固定裝置中進(jìn)行定位焊接,確保準(zhǔn)確對準(zhǔn)。然后,用工具進(jìn)行熱固化或 PCB 壓合周期。

  • Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器
    Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

    Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結(jié)構(gòu),具有低介電損耗和高Q值,支持多種線焊點,A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點,且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%,溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF,工作溫度-55至+150°C,最大工作電壓100V。機械規(guī)格方面,芯片基板為硅,介質(zhì)為二氧化硅,頂部覆蓋層為至少1微米厚的金,外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

在線留言

在線留言

安多县| 普陀区| 松桃| 扎赉特旗| 沂南县| 兴化市| 扎囊县| 大冶市| 通渭县| 湾仔区| 宣化县| 正阳县| 无棣县| 黄石市| 营山县| 汕尾市| 宜阳县| 勃利县| 凉城县| 甘肃省| 泸定县| 乐平市| 北安市| 藁城市| 兴宁市| 上杭县| 塔城市| 怀集县| 依兰县| 泸西县| 合肥市| 万荣县| 芒康县| 陈巴尔虎旗| 安平县| 章丘市| 桐梓县| 千阳县| 洮南市| 奉新县| 彭山县|