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Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊
發布時間:2024-03-05 11:33:44 瀏覽:2496
Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產品,具有11 mΩ G1的極低電阻,集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術和預涂熱界面材料。

**特征描述**:
- 封裝高度為12mm,具備一流的封裝設計。
- 使用前沿的WBG材料(寬禁帶能帶材料)。
- 模塊內部的雜散電感很低,有助于提高性能。
- 采用增強型CoolSiC? MOSFET Gen 1技術。
- 擴大的柵極驅動電壓窗口。
- 柵源電壓范圍為+23 V 和 -10 V。
- 在高達175°C的過載條件下,具備出色的TVJOP(結溫鉗位)性能。
- 使用PressFIT壓接針進行連接。
- 集成了NTC溫度傳感器。
**優勢**:
- 出色的組件效率,能夠提供高效的工作表現。
- 具備系統成本優勢,可降低整體開銷。
- 提高系統效率,使系統更加節能。
- 降低冷卻要求,減少散熱需求。
- 支持實現更高的工作頻率。
- 提高功率密度,實現更小體積的設計。
**應用領域**:
- 不間斷電源(UPS)。
- 儲能系統。
- 電動汽車快速充電。
- 燃料電池DC/DC升壓轉換器。
- 太陽能系統解決方案。
參數:
| 參數 | FF11MR12W2M1HP_B11 | 
|---|---|
| 應用 | 儲能系統 ; 電動汽車充電器 ; UPS不間斷電源 ; 太陽的 | 
| 配置 | 半橋 | 
| 尺寸(長度) | 62.8 毫米 | 
| 尺寸(寬度) | 48 毫米 | 
| 特征 | PressFIT ; TIM | 
| Housing | Easy 2B | 
| 資格 | 工業 | 
| RDS(開)(@ Tj = 25°C) | 10.8毫安 | 
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