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TI德州儀器TPS50601A-SP耐輻射6A同步降壓轉換器
發布時間:2024-02-27 09:27:56 瀏覽:2366
TI 德州儀器TPS50601A-SP是一款耐輻射的同步降壓轉換器,能夠提供7V、6A的輸出電壓。這款轉換器具有高效率,并集成了高側和低側MOSFET,非常適合小型設計。它通過電流模式控制減少了組件數量,通過高開關頻率縮小了電感器封裝尺寸,從而進一步節省空間。該器件采用超小尺寸的熱增強型20引腳陶瓷扁平封裝。
通過SS/TR引腳控制,可以實現輸出電壓啟動斜坡,從而實現獨立電源或跟蹤狀態的運行。此外,正確配置時可以啟用電源排序功能,利用開漏電源正常引腳。TPS50601A-SP還可以配置為主/從模式,提供高達12A的輸出電流。
高側FET采用逐周期電流限制,可以在過載情況下保護器件,并通過低側電流限流防止電流失控,實現功能增強。此外,低側吸收電流限制功能可關閉低側MOSFET,以預防過多的反向電流。當芯片溫度超過熱關斷溫度時,熱關斷功能將禁用此器件。

選型:
| 器件型號 | 等級 | 封裝 |
| 5962-1022102VSC | OMLV | CFP (20) |
| 5962R1022102VSC | RHA-100krad (Si) | |
| TPS50601AHKH/EM | 工程評估(2) | |
| 5962R1022102V9A | KGD RHA-100krad (Si) | 裸片(3) |
TPS50601A-SP具有如下特點:
1. 耐輻射性能:可承受高達100krad(Si)的總離子劑量損壞,而且不會因低劑量率輻射損傷增強(ELDRS)而發生變化。
2. 單粒子鎖定(SEL)抗擾度:對于LET值為75MeV-cm2/mg的顆粒具有強抗干擾能力。
3. 抗 SEB(Single Event Burnout)和 SEGR(Single Event Gate Rupture):在75MeV-cm2/mg的情況下,提供了適應性與狀態曲線。
4. 提供SET/SEFI橫截面圖,幫助了解單事件翻轉和單事件故障抗擾度。
5. 高效率:峰值效率可達96.6%(VO=3.3V),有效節省能源。
6. 集成MOSFET:集成了58m?/50m?的高側和低側功率開關MOSFET,簡化了設計,提高了效率。
7. 輸入電壓范圍:電源軌為3至7V,最大輸出電流為6A,適用于多種應用。
8. 靈活的開關頻率選項:內部振蕩器可調節100kHz至1MHz,支持外部同步功能頻率范圍為100kHz至1MHz。
9. 保護功能:支持過欠壓鎖定、軟啟動、電源定序、輸入欠壓鎖定等多種保護功能,保障穩定運行。
10. 封裝和適用性:采用20引腳的超小型耐熱增強型陶瓷扁平封裝,適用于太空應用等特殊環境下的使用需求。
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