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DELTA臺達(dá)HCB444-101IN電感器 現(xiàn)貨庫存

2025-02-19 08:45:00

HCB444-101IN 是臺達(dá) DELTA HCB444 系列中的一款高性能功率電感，具有 100nH 的電感值（±20% 容差）和極低的直流電阻（0.00032Ω）。其飽和電流為 17A，最大電流在 25℃ 時(shí)為 13A，在高溫環(huán)境下（100℃ 和 125℃）為 12A。該電感器采用 SMD 封裝，尺寸為 4.3×1.7×1.4mm，工作溫度范圍為 -40℃ 至 125℃，適用于服務(wù)器、GPU 等高功率應(yīng)用場景，具備強(qiáng)大的電流承載能力和低損耗特性。

DELTA HCUVD6595電感器規(guī)格與特性

2025-02-18 08:59:53

DELTA HCUVD6595系列電感器提供0.2至1.0微亨的電感值范圍，最大直流電阻為0.85毫歐，可承受12至66A的飽和電流和28A的有效電流。其緊湊的物理尺寸最大為6.5x6.5x9.5毫米，適合電源管理和信號處理等多種電子應(yīng)用。該系列產(chǎn)品在25°C、100kHz和1V條件下具有穩(wěn)定的電氣特性。

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

2025-02-14 09:18:42

IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和超快軟恢復(fù)二極管的組合器件，具有低導(dǎo)通電壓和低二極管正向壓降，適用于高效率和高可靠性的電機(jī)控制應(yīng)用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數(shù)和超軟恢復(fù)特性，有效降低電磁干擾（EMI）。該器件支持600V集電極-發(fā)射極電壓，最大集電極電流為31A，并具備優(yōu)異的熱阻抗和開關(guān)損耗性能，為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。

Linear Systems：高性能半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者

2025-02-13 09:01:23

Linear Systems（全稱Linear Integrated Systems）由John H. Hall于1987年創(chuàng)立，總部位于美國加州硅谷，專注高性能分立半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造，憑借深厚技術(shù)積累服務(wù)高精度和高可靠性要求領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品有超低噪聲JFET、高速橫向DMOS開關(guān)、低漏電流二極管、電流調(diào)節(jié)二極管等多種類型。產(chǎn)品應(yīng)用于音頻、工業(yè)控制、醫(yī)療電子、軍事與航天、測試與測量等領(lǐng)域。該公司具有專利與專有技術(shù)，產(chǎn)品在噪聲、速度和精度等方面表現(xiàn)出色，專注為高端市場提供高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品，滿足高端應(yīng)用需求。

QT1123L80M-32.768KHz CMOS低電流高溫RTC晶振芯片

2025-02-12 09:20:48

QT1123L是Q - Tech公司生產(chǎn)的高性能實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）芯片，專為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備低功耗、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)，能為需精確時(shí)間記錄和數(shù)據(jù)存儲的設(shè)備提供可靠時(shí)鐘方案。其特性包含特定輸出頻率、工作電壓、寬工作與存儲溫度范圍等參數(shù)，還提供報(bào)警、中斷等功能。該芯片適用于數(shù)據(jù)記錄和實(shí)時(shí)時(shí)鐘功能，采用SPI總線接口支持快速通信，可通過時(shí)鐘控制寄存器選擇多種輸出頻率。它采用Kovar材料封裝，抗腐蝕且適合惡劣環(huán)境，引腳功能豐富，能滿足不同連接和控制需求。

PmT-3210-Frequency(0.3-24GHz)相位鎖定振蕩器

2025-02-12 09:17:52

PmT - 3210 - Frequency (GHz) 是 Princeton Microwave Technology Inc. 生產(chǎn)的高性能相位鎖定振蕩器（PLO），專為高頻率穩(wěn)定性、低相位噪聲和寬頻率范圍應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域。

NXP LS1043A低功耗4核通信處理器

2025-02-11 08:54:26

LS1043A是NXP公司推出的首款四核、64位Arm?架構(gòu)的Layerscape系列處理器，提供超10 Gbps性能，適用于小尺寸、低功耗的網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和汽車等應(yīng)用。它支持無風(fēng)扇設(shè)計(jì)，優(yōu)化了物料清單，有0.9V低功耗版本，23x23封裝選項(xiàng)與其他處理器引腳兼容，相比雙核32位Arm處理器性能顯著提升，還集成QUICC Engine?支持傳統(tǒng)接口，是NXP的EdgeVerse?邊緣計(jì)算平臺一部分。其應(yīng)用場景廣泛，涵蓋網(wǎng)絡(luò)設(shè)備（如小型交換機(jī)、路由器）、工業(yè)自動(dòng)化（支持Profibus等協(xié)議的設(shè)備）、汽車電子（車載網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)）以及物聯(lián)網(wǎng)（作為邊緣計(jì)算設(shè)備核心處理器）。

Ampleon BLF13H9L750P功率晶體管：1.3GHz加速器應(yīng)用

2025-02-10 09:02:02

Ampleon作為全球領(lǐng)先的射頻功率半導(dǎo)體解決方案提供商，依托NXP近60年在射頻功率領(lǐng)域的技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)積累，為無線通信、廣播等多領(lǐng)域提供高性能射頻功率產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于5G基礎(chǔ)設(shè)施等場景，彰顯卓越實(shí)力與廣泛影響力。主要用于1.3GHz頻率的粒子加速器等高功率射頻應(yīng)用。

iNRCORE BMS變壓器：電池管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組件及其應(yīng)用

2025-02-08 08:45:55

iNRCORE的 BMS 變壓器能滿足現(xiàn)代 BMS 苛刻要求，具備寬工作溫度范圍、AEC - Q200 認(rèn)證等特點(diǎn)。此外，在為應(yīng)用選擇 BMS 變壓器時(shí)，需考慮隔離要求、通信協(xié)議、大小約束、環(huán)境條件、EMI 性能、通道數(shù)以及爬電距離和電氣間隙等因素。

Statek ULPXO石英晶體振蕩器超低功耗32.768 kHz

2025-02-08 08:40:35

Statek ULPXO 振蕩器專為惡劣環(huán)境中需超低功耗且能在高沖擊水平下生存的應(yīng)用設(shè)計(jì)，由高沖擊調(diào)諧叉石英諧振器和 CMOS 兼容集成電路組成，密封于高沖擊陶瓷封裝。其主要特點(diǎn)有 5.0 x 1.8 mm 密封陶瓷封裝、超低電流消耗、高沖擊抗性達(dá) 30,000 g 等，且提供全面軍事測試，在美國設(shè)計(jì)、制造和測試。應(yīng)用于醫(yī)療（患者監(jiān)測設(shè)備）、國防與航空航天（堅(jiān)固實(shí)時(shí)時(shí)鐘）、工業(yè)（時(shí)間保持模塊）及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

Vishay 134D/134J/134L濕式鉭HI-TMP電容器

2025-02-08 08:37:19

Vishay 134D、134J、134L 濕式鉭 HI - TMP? 電容器是專為高沖擊和振動(dòng)性能設(shè)計(jì)的高性能產(chǎn)品，采用鉭外殼和玻璃到鉭的密封技術(shù)，可在 - 55°C 至 + 200°C 極端溫度下穩(wěn)定工作，具有高電容值、低漏電流和長壽命特點(diǎn)。其特點(diǎn)包括提供多種電容值、密封設(shè)計(jì)保障惡劣環(huán)境可靠性、寬溫度范圍、多種引腳類型（134D 軸向通孔引腳、134J 和 134L 為不同類型 SMD 引腳）、符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且有 100% 錫端子選項(xiàng)。性能特性涵蓋工作溫度、電容容差、直流漏電流及壽命測試等方面。適用于工業(yè)、石油勘探及高溫/高應(yīng)力環(huán)境等領(lǐng)域，還提供了訂購指南。

QTCH350UD92-20.000MHz高溫微型SMD晶體振蕩器

2025-02-06 09:03:30

QTCH系列晶體振蕩器支持1MHz至48MHz基本模式頻率，能在1.8Vdc至5.0Vdc寬電壓范圍工作，功耗低于3mA，工作溫度范圍為 -55oC至 +200oC。該產(chǎn)品適用于鉆井和數(shù)據(jù)記錄工具、石油服務(wù)行業(yè)等高溫環(huán)境下的電子設(shè)備。

Connor-Winfield VSM61/VSM62/VSM64 6引腳表面貼裝VCXO

2025-02-02 10:01:38

Connor-Winfield的6引腳表面貼裝VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三種型號，頻率范圍均為2MHz至100MHz，頻率穩(wěn)定性分別為±25ppm、±50ppm和±20ppm。

銅箔在ROGERS高頻電路材料中的使用

2025-02-01 10:32:11

本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類型、表面粗糙度及其對性能的影響。Rogers提供多種銅箔，包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉(zhuǎn)處理銅箔，以滿足不同應(yīng)用場景需求。銅箔表面粗糙度越高，導(dǎo)體損耗越大，影響信號傳輸效率。Rogers通過優(yōu)化工藝降低粗糙度，提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應(yīng)用于航空航天、通信等領(lǐng)域，為現(xiàn)代高頻電子技術(shù)發(fā)展提供支持。

Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

2025-01-28 10:18:55

Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管，專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有高效率、優(yōu)秀的堅(jiān)固性和寬帶操作能力，內(nèi)部輸入匹配，無需外部匹配網(wǎng)絡(luò)，且符合RoHS合規(guī)性。在VDS = 50V，VGS = -5V，環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應(yīng)用電路中，該晶體管在連續(xù)波(CW)條件下輸出功率為320W，增益為14dB，效率為74%；在CW脈沖條件下輸出功率為350W，增益為14dB，效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝，具有良好的熱特性和電氣特性，適用于RF功率放大器。

JAN1N5195US軍用級開關(guān)二極管Microsemi

2025-01-22 08:47:23

Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標(biāo)準(zhǔn)的軍用級開關(guān)二極管，認(rèn)證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值（@25°C）包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C，浪涌電流（正弦波，8.3毫秒）2A，總功率耗散500mW，最大工作電流200mA，直流反向工作電壓180V。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)方面，采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝，引線材料為銅包鋼，表面處理是錫/鉛，熱阻抗最大70°C/W，極性為帶環(huán)的陰極端。

PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器Princeton Microwave

2025-01-22 08:42:41

Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器頻率6 - 20 GHz，小信號增益≥40 dB，中頻段噪聲系數(shù)2.5 dB，50Ohm輸入輸出匹配，有內(nèi)部調(diào)節(jié)和偏置排序，無條件穩(wěn)定，密封模塊，工作溫度 -50°C至100°C。

RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835層壓板:高性能電路材料的介紹與應(yīng)用

2025-01-22 08:38:00

RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強(qiáng)型碳?xì)浠衔锖吞沾桑ǚ荘TFE）層壓板，專為性能敏感、高容量商業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能提供卓越高頻性能與低成本電路制造，可用標(biāo)準(zhǔn)FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆，有特定箔厚與電阻值，1oz厚銅箔可特殊訂購。

Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器

2025-01-20 09:03:22

Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行，采用調(diào)諧叉設(shè)計(jì)，具備最快啟動(dòng)時(shí)間與緊湊頻率穩(wěn)定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動(dòng)（典型2 ms）應(yīng)用打造，能在高達(dá) +200°C高溫運(yùn)行且抗沖擊性強(qiáng)。其主要特點(diǎn)有高溫操作、超低電流、快速啟動(dòng)、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項(xiàng)優(yōu)勢，產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造于美國且提供全面軍事測試。該振蕩器適用于工業(yè)領(lǐng)域多種設(shè)備，規(guī)格參數(shù)涵蓋頻率、電源電壓、校準(zhǔn)容差、頻率穩(wěn)定性、輸出負(fù)載、老化、沖擊、振動(dòng)及工作溫度范圍等多方面指標(biāo) 。

Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為高性能模擬信號處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性；電氣性能方面，有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗，具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù)；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng)；適用于音頻放大、精密測量設(shè)備、傳感器信號調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。